发明名称 包括图案硬化步骤的用于缩小光致抗蚀剂图案之间的尺寸的工艺
摘要 一种在器件上形成光致抗蚀剂图案的工艺,其包括:a)在基材上由第一光致抗蚀剂组合物形成第一光致抗蚀剂层;b)使第一光致抗蚀剂成像式曝光;c)使第一光致抗蚀剂显影以形成第一光致抗蚀剂图案;d)用包含至少2个氨基(NH2)的硬化化合物处理第一光致抗蚀剂图案,由此形成硬化的第一光致抗蚀剂图案;e)在包括硬化的第一光致抗蚀剂图案的基材的区域上由第二光致抗蚀剂组合物形成第二光致抗蚀剂层;f)使第二光致抗蚀剂整片曝光;和g)使整片曝光的第二光致抗蚀剂显影以形成具有增加的尺寸和减小的间隔的光致抗蚀剂图案。
申请公布号 CN101981509A 申请公布日期 2011.02.23
申请号 CN200980111594.0 申请日期 2009.03.30
申请人 AZ电子材料美国公司 发明人 D·J·阿卜杜拉;R·R·达梅尔;V·蒙里尔
分类号 G03F7/40(2006.01)I;G03F7/00(2006.01)I 主分类号 G03F7/40(2006.01)I
代理机构 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 代理人 陈宙
主权项 一种在器件上形成光致抗蚀剂图案的工艺,其包括:a)在基材上由第一光致抗蚀剂组合物形成第一光致抗蚀剂层;b)使第一光致抗蚀剂成像式曝光;c)使第一光致抗蚀剂显影以形成第一光致抗蚀剂图案;d)用包含至少2个氨基(NH2)的硬化化合物处理第一光致抗蚀剂图案,由此形成硬化的第一光致抗蚀剂图案;e)在包括硬化的第一光致抗蚀剂图案的基材的区域上由第二光致抗蚀剂组合物形成第二光致抗蚀剂层;f)使第二光致抗蚀剂整片曝光;和g)使光致抗蚀剂图案显影,由此形成具有增加的尺寸和减小的间隔的光致抗蚀剂图案。
地址 美国新泽西