| 发明名称 | 半金属反铁磁体 | ||
| 摘要 | 本发明提供化学性质稳定、且具有稳定的磁结构的半金属反铁磁体。本发明的半金属反铁磁体是具有镍砷型、闪锌矿型、纤锌矿型、黄铜矿型或岩盐型的结晶结构的化合物，其由2种以上的磁性元素和硫属元素或氮族元素构成。上述2种以上的磁性元素含有有效d电子数比5少的磁性元素和有效d电子数比5多的磁性元素，上述2种以上磁性元素的有效d电子数的总和为10或接近于10的值。 | ||
| 申请公布号 | CN101978442A | 申请公布日期 | 2011.02.16 |
| 申请号 | CN200980110413.2 | 申请日期 | 2009.03.18 |
| 申请人 | 国立大学法人大阪大学 | 发明人 | 赤井久纯;小仓昌子;L·H·阮 |
| 分类号 | H01F1/40(2006.01)I;H01L29/82(2006.01)I | 主分类号 | H01F1/40(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 蔡晓菡;高旭轶 |
| 主权项 | 半金属反铁磁体，其由2种以上的磁性元素和硫属元素或氮族元素构成。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||