发明名称 |
磁控溅射靶屏蔽装置 |
摘要 |
一种磁控溅射靶屏蔽装置,溅射靶的一端与溅射靶座相连接,在溅射靶座和法兰盘之间安装有绝缘密封件,屏蔽装置中间的通孔与溅射靶相套接并使该屏蔽装置抵接至该绝缘密封件上,该屏蔽装置与法兰盘之间留有间隙;其中,在该屏蔽装置的外圆周表面上设有至少一道沟槽和至少一个凸台;该屏蔽装置远离该溅射靶座的一端的端面上设有与该溅射靶同轴的至少一道凹槽。该种结构可以完全解决现有屏蔽结构存在的问题,即使屏蔽装置上部分涂覆了较厚的涂层,但由于迷宫式多沟槽结构的存在,使屏蔽装置上的涂层形成断续状,不行形成连续的涂层结构,从而也无法形成溅射阴极和法兰盘(接地阳极)之间的电弧放电。 |
申请公布号 |
CN201729871U |
申请公布日期 |
2011.02.02 |
申请号 |
CN201020236484.7 |
申请日期 |
2010.06.17 |
申请人 |
北京清华阳光能源开发有限责任公司 |
发明人 |
韩成明;王青山;阎学英;李旭光 |
分类号 |
C23C14/35(2006.01)I |
主分类号 |
C23C14/35(2006.01)I |
代理机构 |
北京科龙寰宇知识产权代理有限责任公司 11139 |
代理人 |
孙皓晨;贺华廉 |
主权项 |
一种磁控溅射靶屏蔽装置,溅射靶的一端与溅射靶座相连接,在溅射靶座和法兰盘之间安装有绝缘密封件,屏蔽装置中间的通孔与溅射靶相套接并使该屏蔽装置抵接至该绝缘密封件上,该屏蔽装置与法兰盘之间留有间隙;其特征在于:在该屏蔽装置的外圆周表面上设有至少一道沟槽和至少一个凸台。 |
地址 |
100085 北京市海淀区上地东路1号盈创动力园E-9 |