用于低压降稳压器中增强型暂态响应的半导体结构;SEMICONDUCTOR STRUCTURES FOR ENHANCED TRANSIENT RESPONSE IN LOW DROPOUT (LDO) VOLTAGE REGULATORS

摘要

本发明公开用于低压降(LDO)稳压器中的增强型暂态响应的系统、半导体结构、电子电路和方法。举例来说，本发明公开用于LDO稳压器中的增强型暂态响应的半导体结构，所述半导体结构包括第一电流镜电路，其耦合到所述LDO稳压器的输入连接件和输出连接件；第二电流镜电路，其耦合到所述LDO稳压器的所述输入连接件。第一放大器电路的第一输入耦合到所述第二电流镜电路，所述第一放大器电路的第二输入耦合到所述LDO稳压器的所述输出连接件，且所述第一放大器电路的第三输入耦合到参考电压。第二放大器电路的输入耦合到所述第一放大器电路的输出，所述第二放大器电路的输出耦合到所述第一电流镜电路，第三放大器电路的输入耦合到所述第一放大器电路的所述输出，且所述第三放大器电路的输出耦合到所述第二电流镜电路。在一些实施方式中，所述半导体结构是形成于半导体IC、晶圆、晶片或晶粒上的电源管理积体电路(PMIC)中或电源中的自我调整偏置LDO稳压器。