| 发明名称 | 半导体装置及半导体装置的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及半导体装置及半导体装置的制造方法。所述半导体装置包括：由SiC构成的半导体层、和与所述半导体层的一个面直接接合的金属层，在所述半导体层的一侧的表层部分，形成有碳浓度比另一侧的表层部分高的高碳浓度层。而所述半导体装置的制造方法包括：通过热处理，在由SiC构成的半导体层的一面侧的表层部分，形成碳浓度比另一面侧的表层部分高的高碳浓度层的工序；和将金属与所述高碳浓度层直接接合的工序。 | ||
| 申请公布号 | CN101964357A | 申请公布日期 | 2011.02.02 |
| 申请号 | CN201010234115.9 | 申请日期 | 2010.07.20 |
| 申请人 | 罗姆股份有限公司 | 发明人 | 中野佑纪 |
| 分类号 | H01L29/40(2006.01)I;H01L23/52(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L29/872(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/40(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 张远 |
| 主权项 | 一种半导体装置，其特征在于，包括：由SiC构成的半导体层、和与所述半导体层的一个面直接接合的金属层，在所述半导体层的一侧的表层部分，形成有碳浓度比另一侧的表层部分高的高碳浓度层。 | ||
| 地址 | 日本京都府 | ||