| 摘要 |
1. Способ, в котором выращивают III-нитридную структуру на подложке, причем данная III-нитридная структура содержит: шаблон, содержащий: первый слой 22, выращенный непосредственно на подложке, причем первый слой, по существу, свободен от индия; первый, по существу, монокристаллический слой 24, выращенный над данным первым слоем; второй слой 26, выращенный над данным первым, по существу, монокристаллическим слоем, где второй слой является не монокристаллическим слоем, содержащим индий; и слои устройства, выращенные над шаблоном, причем слои устройства содержат III-нитридный светоизлучающий слой, расположенный между областью n-типа и областью р-типа. ! 2. Способ по п.1, в котором шаблон дополнительно содержит второй, по существу, монокристаллический слой 28, выращенный над вторым слоем 26. ! 3. Способ по п.2, в котором первый, по существу, монокристаллический слой 24 представляет собой GaN слой, а второй, по существу, монокристаллический слой 28 представляет собой InGaN слой с содержанием InN от 0,5 до 20%. ! 4. Способ по п.2, в котором шаблон дополнительно содержит: третий слой, выращенный над вторым, по существу, монокристаллическим слоем 28, где данный третий слой является не монокристаллическим слоем, содержащим индий; и третий, по существу, монокристаллический слой, выращенный над данным третьим слоем. ! 5. Способ по п.2, в котором шаблон дополнительно содержит: ! третий, по существу, монокристаллический слой 30, расположенный между первым слоем 22 и вторым слоем 26. ! 6. Способ по п.5, где объемная постоянная решетки материала с такой же композицией, как третий, по существу, монокристаллический слой 30, больше, чем объемная постоянная решетки материала |
