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一种化合物半导体磊晶基板，是针对在以InGaAs为变形通道层，以及包含以含有n型不纯物之AlGaAs层以作为电子供给层之变形通道高电子移动率场效应型电晶体所使用的化合物半导体磊晶基板，其特征为：该InGaAs层在77K之发光峰值波长为1030nm以上。如申请专利范围第1项记载之化合物半导体磊晶基板，其中，设置与上述InGaAs层的上下相接，而作为间隔层之GaAs层。如申请专利范围第2项记载之化合物半导体磊晶基板，其中，上述GaAs层之膜厚分别在4nm以上。如申请专利范围第1项记载之化合物半导体磊晶基板，其中，上述InGaAs层在300K的电子移动率系在8300cm2/V．s以上。一种化合物半导体磊晶基板之制造方法，其特征为：包含利用金属有机化学蒸气沈积(MOCVD法)以使各化合物半导体层磊晶成长之上述申请专利范围第1、2、3或者4中任一项所记载之化合物半导体磊晶基板。 |
