| 主权项 |
一种薄膜形成装置之洗净方法，系用于洗净对收容被处理体之反应室内部供给处理气体，而在该被处理体形成薄膜之薄膜形成装置之方法，其特征为具备：净化(purge)工程，系对上述反应室内部供给含有氮之可活化之氮系气体以净化上述反应室内部，上述净化工程，系具有使上述氮系气体活化，而氮化上述反应室内之构件表面之工程，上述净化工程中，上述反应室内部是保持在133Pa至53.3kPa。一种薄膜形成装置之洗净方法，系用于洗净对收容被处理体之反应室内部供给处理气体，而在该被处理体形成薄膜之薄膜形成装置之方法，其特征为具备：净化工程，系对上述反应室内部供给含氮之可活化之氮系气体以净化上述反应室内部；上述净化工程，系具有：藉由使上述氮系气体活化，并使含于上述反应室内部之构件中之金属污染物质与被活化之上述氮系气体反应，俾将上述金属污染物质由上述构件中去除之工程，上述净化工程中，上述反应室内部是保持在133Pa至53.3kPa。一种薄膜形成装置之洗净方法，系用于洗净对收容被处理体之反应室内部供给处理气体，而在该被处理体上形成薄膜之薄膜形成装置之方法，其特征具备：附着物去除工程，对上述反应室内部供给含氟之洁净气体(cleaning gas)以去除附着于上述薄膜形成装置内部之附着物；以及净化工程，对上述反应室内部供给含有氮之可活化氮系气体以净化上述反应室内部；上述净化工程，系具有藉由使上述氮系气体活化，而使在上述附着物去除工程中扩散至上述反应室内部构件中之氟与被活化之上述氮系气体反应，俾由上述构件中去除上述氟之工程，上述净化工程中，上述反应室内部是保持在133Pa至53.3kPa。一种薄膜形成装置之洗净方法，系用于洗净对收容被处理体之反应室内部供给处理气体，而在该被处理体形成薄膜之薄膜形成装置的方法，其特征为具备：附着物去除工程，对上述反应室内部供给含氟之洁净气体以去除附着于上述薄膜形成装置内部之附着物；以及净化工程，对上述反应室内部供给含氮之可活化氮系气体以净化上述反应室内部；上述净化工程，系具有使上述氮系气体活化以氮化上述反应室内部之构件表面的工程，上述净化工程中，上述反应室内部是保持在133Pa至53.3kPa。如申请专利范围第1至4项中任一项之薄膜形成装置之洗净方法，上述氮系气体为氨，一氧化二氮，或氧化氮。如申请专利范围第1至4项中任一项之薄膜形成装置之洗净方法，上述净化工程中，上述氮系气体是藉由被供给至加热至特定温度之上述反应室内部而被活化。如申请专利范围第6项之薄膜形成装置之洗净方法，在上述净化工程中，上述反应室内部被昇温至600℃至1050℃。如申请专利范围第1至4项中任一项之薄膜形成装置之洗净方法，上述反应室内部之构件系由石英构成。如申请专利范围第1至4项中任一项之薄膜形成装置之洗净方法，上述处理气体包括含有氨与矽之气体，而上述薄膜为矽氮化膜，而上述氮系气体为氨。一种薄膜形成方法，其特征为具备：洗净工程，依照申请专利范围第1项至9项中任一项所记载之薄膜形成装置之洗净方法来洗净薄膜形成装置；以及成膜工程，将收容被处理体之反应室内部昇温至特定之温度，对该反应室内部供给处理气体而在上述被处理体上形成薄膜。一种薄膜形成装置，系对收容被处理体之反应室内部供给处理气体，而在该被处理体形成薄膜者；其特征为具备：处理气体导入装置；洁净气体导入装置；氮系气体导入装置；氮系气体供给装置，用于对上述反应室内供给含氮之可活化之氮系气体；活化手段，用于活化上述氮系气体；及控制部，分别被连接于上述处理气体导入装置、上述洁净气体导入装置、上述氮系气体导入装置、上述氮系气体供给装置、及上述活化手段；上述控制部，系藉由控制上述活化手段使上述氮系气体活化，而使上述反应室内之构件之表面氮化形成氮化膜，另具备压力调整手段，用于将上述反应室内部之压力保持于133Pa至53.3kPa。一种薄膜形成装置，系对收容被处理体之反应室内部供给处理气体，而在该被处理体形成薄膜者；其特征为具备：处理气体导入装置；洁净气体导入装置；氮系气体导入装置；氮系气体供给装置，用于对上述反应室内供给含氮之可活化之氮系气体；活化手段，用于活化上述氮系气体；及控制部，分别被连接于上述处理气体导入装置、上述洁净气体导入装置、上述氮系气体导入装置、上述氮系气体供给装置、及上述活化手段；上述控制部，系藉由控制上述活化手段使上述氮系气体活化，使上述反应室内之构件中含有之金属污染物质与被活化之上述氮系气体反应，而将上述金属污染物质由上述构件中予以除去，另具备压力调整手段，用于将上述反应室内部之压力保持于133Pa至53.3kPa。一种薄膜形成装置，系对收容被处理体之反应室内部供给处理气体，而在该被处理体形成薄膜者；其特征为具备：处理气体导入装置；洁净气体导入装置；氮系气体导入装置；洁净气体供给装置，用于对上述反应室内供给含氟之洁净气体；氮系气体供给装置，用于对上述反应室内供给含氮之可活化之氮系气体；活化手段，用于活化上述氮系气体；及控制部，分别被连接于上述处理气体导入装置、上述洁净气体导入装置、上述氮系气体导入装置、上述洁净气体供给装置、上述氮系气体供给装置、及上述活化手段；上述控制部，系藉由控制上述活化手段使上述氮系气体活化，使扩散至上述反应室内之构件中之氟与被活化之上述氮系气体反应，而将上述氟由上述构件中予以除去，另具备压力调整手段，用于将上述反应室内部之压力保持于133Pa至53.3kPa。一种薄膜形成装置，系对收容被处理体之反应室内部供给处理气体，而在该被处理体形成薄膜者；其特征为具备：处理气体导入装置；洁净气体导入装置；氮系气体导入装置；洁净气体供给装置，用于对上述反应室内供给含氟之洁净气体；氮系气体供给装置，用于对上述反应室内供给含氮之可活化之氮系气体；活化手段，用于活化上述氮系气体；及控制部，分别被连接于上述处理气体导入装置、上述洁净气体导入装置、上述氮系气体导入装置、上述洁净气体供给装置、上述氮系气体供给装置、及上述活化手段；上述控制部，系藉由控制上述活化手段使上述氮系气体活化，而使上述反应室内之构件之表面氮化形成氮化膜，另具备压力调整手段，用于将上述反应室内部之压力保持于133Pa至53.3kPa。如申请专利范围第11至14项中之任一项之薄膜形成装置，其中上述氮系气体为氨，一氧化二氮或氧化氮。如申请专利范围第11至14项中之任一项之薄膜形成装置，其中上述活化手段为加热手段。如申请专利范围第11至14项中之任一项之薄膜形成装置，其中上述活化手段为电浆产生手段。如申请专利范围第11至14项中之任一项之薄膜形成装置，其中上述活化手段为将上述反应室内部昇温至600℃至1050℃之手段。 |
