| 发明名称 | 半导体装置的制造方法和等离子体氧化处理方法 | ||
| 摘要 | 本发明的半导体装置的制造方法，进行以下工序：在半导体基板上形成栅极绝缘膜的工序；在该栅极绝缘膜上至少形成包括多晶硅层和含有高熔点金属的金属层的叠层体的工序；对该叠层体进行蚀刻处理，形成栅极电极的工序；和利用由具有多个狭缝的平面天线向处理室内导入微波而产生等离子体的等离子体处理装置，在处理压力为133.3～1333Pa、处理温度为250～800℃下，使用至少包含氢气和氧气的处理气体，进行等离子体处理，选择性地氧化上述栅极电极中的多晶硅层的工序。 | ||
| 申请公布号 | CN101053083B | 申请公布日期 | 2011.01.12 |
| 申请号 | CN200680001097.1 | 申请日期 | 2006.01.24 |
| 申请人 | 东京毅力科创株式会社 | 发明人 | 佐佐木胜 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H01L29/49(2006.01)I;H01L21/316(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人 | 龙淳 |
| 主权项 | 一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括：在半导体基板上形成栅极绝缘膜的工序；在该栅极绝缘膜上形成至少包括多晶硅层和高熔点金属材料的叠层体的工序；对所述叠层体进行蚀刻处理，形成栅极电极的工序；第一氧化处理工序，利用由具有多个狭缝的平面天线向处理室内导入微波而产生等离子体的等离子体处理装置，在处理压力为133.3～1333Pa、处理温度为400～800℃下，使用至少包含氢气和氧气的处理气体，对所述栅极电极进行等离子体处理；和第二氧化处理工序，利用所述等离子体处理装置，在处理压力为1.3～13.3Pa、处理温度为250～800℃下，使用至少包含氢气和氧气的处理气体，对所述栅极电极进行等离子体处理。 | ||
| 地址 | 日本国东京都 | ||