发明名称 |
采用自组装材料的图形形成 |
摘要 |
在一个实施例中,包围大区域的六边形瓦片被分为三个群组,每个群组含有彼此分离的所有六边形瓦片的三分之一。在模板层(2OA,2OB,20C)中形成每个群组(01,02,03)中的六边形瓦片的开口,且在每个开口内施加并构图自组装嵌段共聚物的组。重复该过程三次以涵盖所有三个群组,产生遍布宽广区域的自对准图形。在另一实施例中,该大区域被分为两个不重迭且互补的群组的矩形瓦片。每个矩形区域的宽度小于自组装嵌段共聚物的有序范围。以顺序方式在每一群组中形成自组装自对准的线与间隔结构(4OA,5OA;4OB,5OB;4OC,50C),从而线与间隔图形形成为遍及了延伸超出有序范围的大区域。 |
申请公布号 |
CN101939253A |
申请公布日期 |
2011.01.05 |
申请号 |
CN200980104087.4 |
申请日期 |
2009.02.03 |
申请人 |
国际商业机器公司 |
发明人 |
C·T·布莱克;T·J·达尔顿;B·B·多里斯;C·拉登斯 |
分类号 |
B82B3/00(2006.01)I |
主分类号 |
B82B3/00(2006.01)I |
代理机构 |
北京市中咨律师事务所 11247 |
代理人 |
于静;杨晓光 |
主权项 |
一种在衬底上形成纳米尺寸图形的方法,所述方法包括以下步骤:形成第一模板层(20A),其包围衬底上的预定区域;在所述第一模板层(20A)中构图第一开口(O1),每个第一开口(O1)具有正六边形的形状,其中所述第一开口(O1)被排列为第一六边形阵列;在所述第一开口(O1)中形成第一纳米尺寸自组装自对准结构(40A,50A);在所述第一纳米尺寸自组装自对准结构(40A,50A)上形成包围所述区域的第二模板层(20B);在所述第二模板层(20B)中构图第二开口(O2),每个第二开口(O2)具有所述正六边形的形状,其中所述第二开口(O2)被排列为第二六边形阵列;在所述第二开口(O2)中形成第二纳米尺寸自组装自对准结构(40B);在所述第一和第二纳米尺寸自组装自对准结构(40A,50A,40B)上形成包围所述区域的第三模板层(30C);在所述第三模板层(30C)中构图第三开口(O3),每个第三开口(O3)具有所述正六边形的形状,其中所述第三开口(O3)被排列为第三六边形阵列;以及在所述第三开口(O3)中形成第三纳米尺寸自组装自对准结构(40C,50C)。 |
地址 |
美国纽约 |