液晶显示装置的制造方法

摘要

公开了一种LCD装置的制造方法。LCD装置的制造方法包括：利用第一掩模处理在基板的P型沟道和N型沟道薄膜晶体管形成区分别形成第一和第二有源图案；利用第二掩模处理在基板的P型沟道薄膜晶体管形成区形成第一栅极；利用第三掩模处理在基板的N型沟道薄膜晶体管形成区形成第二栅极；利用第四掩模处理形成部分露出相应的N型和P型源区的第一接触孔和部分露出相应的N型和P型漏区的第二接触孔；利用第五掩模处理形成连接到N型和P型源区的N型和P型源极，及连接到N型和P型漏区的N型和P型漏极；利用第六掩模处理同时形成第三接触孔和公共电极；利用第七掩模处理形成露出相应的N型和P型漏极的第四接触孔；以及利用第八掩模处理形成像素电极。

主权项

一种制造液晶显示装置的方法，该方法包括以下步骤：基板制备步骤，制备限定为P型沟道薄膜晶体管形成区和N型沟道薄膜晶体管形成区的基板；第一有源图案和第二有源图案形成步骤，利用第一掩模处理在所述基板的所述P型沟道薄膜晶体管形成区和N型沟道薄膜晶体管形成区分别形成第一有源图案和第二有源图案；第一绝缘膜和第一导电膜形成步骤，在设置有所述第一有源图案和所述第二有源图案的所述基板上形成第一绝缘膜和第一导电膜；第一栅极形成步骤，利用第二掩模处理在所述基板的所述P型沟道薄膜晶体管形成区形成由所述第一导电膜构成的第一栅极；P型漏区、P型源区和P型沟道区形成步骤，利用所述第一栅极在所述第一有源图案上形成P型漏区、P型源区以及所述P型漏区和所述P型源区之间的P型沟道区；第二栅极形成步骤，利用第三掩模处理在所述基板的所述N型沟道薄膜晶体管形成区形成由所述第一导电膜构成的第二栅极；N型漏区、N型源区和N型沟道区形成步骤，利用所述第二栅极在所述第二有源图案上形成N型漏区、N型源区以及所述N型漏区和所述N型源区之间的N型沟道区；第二绝缘膜形成步骤，在具有所述N型漏区、所述N型源区和所述N型沟道区的所述基板上形成第二绝缘膜；第一接触孔和第二接触孔形成步骤，利用第四掩模处理选择性地去除所述第一绝缘膜和所述第二绝缘膜，以形成部分地露出相应的N型源区和P型源区的第一接触孔和部分地露出相应的N型漏区和P型漏区的第二接触孔；第二导电膜形成步骤，在设置有所述第一接触孔和所述第二接触孔的所述基板上形成第二导电膜；源极和漏极形成步骤，利用第五掩模处理，形成通过所述第一接触孔电连接到所述N型源区和所述P型源区的N型源极和P型源极，以及通过所述第二接触孔电连接到所述N型漏区和所述P型漏区的N型漏极和P型漏极；第三绝缘膜和第三导电膜形成步骤，在设置有所述N型漏极和所述P型漏极的所述基板上形成第三绝缘膜和第三导电膜；第三接触孔和公共电极形成步骤，利用第六掩模处理形成贯穿所述第三绝缘膜的第三接触孔以及所述第三绝缘膜上的公共电极；第四绝缘膜形成步骤，在设置有所述第三接触孔和所述公共电极的所述基板上形成第四绝缘膜；第四接触孔形成步骤，利用第七掩模处理形成贯穿所述第四绝缘膜并露出相应的N型漏极和P型漏极的第四接触孔；第四导电膜形成步骤，在具有所述第四接触孔的所述基板上形成第四导电膜；以及像素电极形成步骤，利用第八掩模处理形成通过所述第四接触孔电连接到所述N型漏极和所述P型漏极的像素电极。