| 发明名称 | 半导体装置 | ||
| 摘要 | 本发明提供能够抑制作用于插在半导体元件和两电极端子之间的接合构件的最大温度和温度变化幅度，提高相对于温度变化的热疲劳寿命的半导体装置。本发明的半导体装置构成为，在半导体芯片和引线电极体之间设置接合构件，将半导体芯片与引线电极体接合，在半导体芯片和支撑电极体之间配设热应力缓和体，分别在该热应力缓和体、半导体芯片和支撑电极体之间设置接合构件，将第一热应力缓和体与支撑电极体接合，第二热应力缓和体由热膨胀系数具有半导体芯片和引线电极体的各热膨胀系数之间的值的特性的材料形成，第一热应力缓和体由热膨胀系数具有半导体芯片和支撑电极体的各热膨胀系数之间的值的特性，并且热传导率具有50～300W/(m·℃)特性的材料形成。 | ||
| 申请公布号 | CN101123232B | 申请公布日期 | 2010.12.29 |
| 申请号 | CN200710136794.4 | 申请日期 | 2007.07.27 |
| 申请人 | 株式会社日立制作所;日立原町电子工业株式会社 | 发明人 | 中岛力;黑泽武史;水野惠 |
| 分类号 | H01L23/48(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/48(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 汪惠民 |
| 主权项 | 一种半导体装置，具有半导体芯片、引线电极体和支撑电极体，在半导体芯片和引线电极体之间配设有第二热应力缓和体，在该第二热应力缓和体、半导体芯片和引线电极体之间分别设置有接合构件，将第二热应力缓和体与引线电极体接合，在半导体芯片和支撑电极体之间配设有第一热应力缓和体，在该第一热应力缓和体、半导体芯片和支撑电极体之间分别设置有接合构件，将第一热应力缓和体与支撑电极体接合，第二热应力缓和体由热膨胀系数具有3～9×10 6(1/℃)特性的钼材料形成，第一热应力缓和体由热膨胀系数具有5～11×10 6(1/℃)特性，并且热传导率具有50～300W/(m·℃)的特性的钼材料或钼和铜的复合材料形成，或者由热膨胀系数具有5～11×10 6(1/℃)特性，并且传导率具有50～300W/(m·℃)特性的铜/铁镍合金/铜构成的复合材料形成。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||