在半导体装置上形成连接凸点的方法

摘要

一种在半导体装置上形成连接凸点的方法，包括：在半导体装置的保护层上沉积第一凸点限制金属层以填入通孔；在基底上形成光阻层；采用灰度光罩对光阻层进行曝光及显影处理从而同时形成多个对应于半导体装置连接垫的光阻内核及位于半导体中心的光阻保护层。在上述在半导体装置上形成连接凸点的方法中，通过使用灰度光罩，在一次的曝光、显影蚀刻制程中同时在半导体装置上形成了光阻内核与光阻保护层，简化了制作工艺。光阻内核用于后续形成连接凸点，光阻保护层可保护半导体装置在后续制程中不被蚀刻或者刮伤。

主权项

一种在半导体装置上形成连接凸点的方法，该半导体装置包括一基底、一连接垫及一保护层，该连接垫从形成于该保护层内之一通孔露出，：在该保护层上沉积第一凸点限制金属层以填入该通孔；在该基底上形成光阻层，该光阻层包括第一区域及第二区域，该第一凸点限制金属层覆盖于该第一区域下；去除该第一区域除正对该通孔外的部分，从而形成多个光阻内核，及去除部分该第二区域，从而形成一光阻保护层；在该些光阻内核表面沉积第二凸点限制金属层；在该第二凸点限制金属层表面沉积凸点连接金属层；去除部分该凸点连接金属层并保留包覆该些光阻内核的部分；及去除部分该第一、第二凸点限制金属层并保留包括该些光阻内核的部分，从而在该半导体装置的表面得到多个相互分离的连接凸点。