发明名称 两层、三层闪存装置、智能存储开关和两层、三层控制器
摘要 本发明适用于存储器领域,提供了一种两层、三层闪存装置、智能存储开关和两层、三层控制器。固态硬盘设有智能存储开关,用来废物回收利用从分段数据容量上经由删减而删除的闪存存储。超出分段数据容量的额外存储用未分割的散列数据方式进行存取。随着时间的推移当更多坏块出现时,分段数据容量降低。第一级映射图存储所有闪存信道的分段数据和散列数据容量,并映射散列数据和分段数据。每个闪存信道设有NVMD,NVMD设有较低级控制器,该控制器将LBA转换为PBA,PBA用来存取NVMD内的闪速存储器。每个NVMD执行磨损平衡和坏块重新映射。NVMD可循环回收利用源本闪存区块和阴影闪存区块。两个级别的智能存储开关能够启动三个级别的控制器。
申请公布号 CN101923512A 申请公布日期 2010.12.22
申请号 CN201010135362.3 申请日期 2010.02.21
申请人 晶天电子(深圳)有限公司 发明人 俞一康;马志刚;李中和;申明进
分类号 G06F12/02(2006.01)I;G06F13/16(2006.01)I;G11C29/42(2006.01)I 主分类号 G06F12/02(2006.01)I
代理机构 深圳中一专利商标事务所 44237 代理人 贾振勇
主权项 一种两层闪存装置,其特征在于,包括智能存储开关,所述智能存储开关包括:连接到主机的上游接口,用于接收主机命令、主机数据和主机地址,所述主机命令用于访问非易失性存储器NVM;管理管理来自主机的事务的智能存储事务管理器;将主机地址映射到指定闪存信道上生成逻辑块地址LBA的虚拟存储处理器,所述虚拟存储处理器执行高级映射;与所述虚拟存储处理器连接的高级分割映射器,存储有用于每个闪存信道的分段数据容量和散列数据容量,所有闪存信道的分段数据容量数值相等,闪存信道之间的散列数据容量存在数值差别;通过LBA总线连接在智能存储事务管理器和NVM控制器之间的虚拟存储桥;所述两层闪存装置还包括:多个NVM控制器,所述NVM控制器与LBA总线连接,接收虚拟存储处理器生成的LBA以及来自虚拟存储桥的主机数据;安装在NVM控制器内的低级映射器,将LBA映射到物理块地址PBA,低级映射器生成块映射的主机数据的PBA以及页映射的主机数据的PBA和页码;以及包括指定闪存信道在内的多个闪存信道,所述闪存信道包括:与NVM控制器连接的NVM闪速存储器,用于将主机数据存储至所述NVM控制器内的低级映射器生成的PBA识别的块位置上以及页映射的主机数据的页码识别的页面位置上。
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