获得垂直型沟道高压超级结半导体器件的方法

摘要

本发明公开了一种获得垂直型沟道高压超级结半导体器件的方法，步骤一、在N+基板上进行第一次N型外延成长；步骤二、刻蚀N型外延层，在N型外延层上形成一定高宽比的沟槽穿通到N+基板上；步骤三、在所述沟槽中填入P型外延层；步骤四、利用化学机械研磨得到平坦的N型柱子和P型柱子交替出现的结构；步骤五、在步骤四形成的N型柱子和P型柱子交替出现的结构上进行第二次N型外延成长，然后重复实施步骤二至四得到更高P型沟槽高宽比的平坦的N型柱子和P型柱子交替出现的结构，直到N型外延层的厚度达到器件阻挡电压的要求。本发明能够在工艺难度不增大的条件下有效减少P型柱子占比，降低比抵抗电阻。

主权项

一种获得垂直型沟道高压超级结半导体器件的方法，其特征在于，包括如下工艺步骤：步骤一、在N+基板上进行第一次N型外延成长，并在N型外延层上形成一层介质膜；步骤二、光刻刻蚀所述N型外延层，在N型外延层上形成一定高宽比的沟槽穿通到N+基板上；步骤三、在所述沟槽中填入P型外延层；步骤四、利用化学机械研磨得到平坦的N型柱子和P型柱子交替出现的结构；步骤五、包括如下分步骤：1、在上一次形成的N型柱子和P型柱子交替出现的结构上进行第二次N型外延成长；2、采用步骤二中的光刻刻蚀工艺对进行了所述第二次N型外延成长后的所述N型外延层进行光刻刻蚀并形成沟槽，本次形成的所述沟槽的底部要接触到前一次形成的沟槽的顶部；3、采用步骤三中的工艺在所述沟槽中填入P型外延层；4、采用步骤四中的工艺得到高于前次P型沟槽高宽比的平坦的N型柱子和P型柱子交替出现的结构；然后重复实施步骤五的各分步骤1、2、3和4，直到所述N型外延层的厚度达到器件阻挡电压的要求。