| 发明名称 | 采用In<sub>x</sub>Ga<sub>1-x</sub>N缓冲层生长的氮化镓和铟镓氮的方法 | ||
| 摘要 | 一种采用InxGa1-xN缓冲层生长的氮化镓的方法，其采用金属有机化学气相沉淀系统在蓝宝石沉淀上生长高质量氮化镓和铟镓氮，该方法包括如下步骤：步骤1：将蓝宝石衬底放入反应腔内进行氢化处理，得到洁净的蓝宝石衬底；步骤2：往反应腔内输入反应气氛气体，营造反应气氛，并保持反应腔内的温度和压力在设定范围内；步骤3：在蓝宝石衬底上生长InxGa1-xN缓冲层；步骤4：在InxGa1-xN缓冲层上同温生长一层很薄的氮化镓覆层；步骤5：在氮化镓覆层上外延氮化镓层，完成氮化镓的生长。 | ||
| 申请公布号 | CN101924022A | 申请公布日期 | 2010.12.22 |
| 申请号 | CN201010157625.0 | 申请日期 | 2010.04.21 |
| 申请人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明人 | 马平;王军喜;王国宏;曾一平;李晋闽 |
| 分类号 | H01L21/205(2006.01)I;C23C16/34(2006.01)I;C23C16/02(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/205(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 汤保平 |
| 主权项 | 一种采用InxGa1 xN缓冲层生长的氮化镓的方法，其采用金属有机化学气相沉淀系统在蓝宝石沉淀上生长高质量氮化镓和铟镓氮，该方法包括如下步骤：步骤1：将蓝宝石衬底放入反应腔内进行氢化处理，得到洁净的蓝宝石衬底；步骤2：往反应腔内输入反应气氛气体，营造反应气氛，并保持反应腔内的温度和压力在设定范围内；步骤3：在蓝宝石衬底上生长InxGa1 xN缓冲层；步骤4：在InxGa1 xN缓冲层上同温生长一层很薄的氮化镓覆层；步骤5：在氮化镓覆层上外延氮化镓层，完成氮化镓的生长。 | ||
| 地址 | 100083 北京市海淀区清华东路甲35号 | ||