| 主权项 |
一种突波吸收元件，其特征在于：具备电感器部、第1突波吸收部、以及第2突波吸收部，其中，电感器部具有：一端与第1输入端子连接之第1线圈；一端与第1输出端子连接、另一端与上述第1线圈之另一端连接之第2线圈；一端与第2输入端子连接之第3线圈；以及一端与第2输出端子连接、另一端与上述第3线圈之另一端连接之第4线圈；第1突波吸收部具有：与上述电感器部之上述第1线圈和上述第2线圈之第1接点连接之第1内部电极；面对上述第1内部电极、与基准端子连接之第2内部电极；以及插入于上述第1内部电极与上述第2内部电极之间之第1突波吸收层；第2突波吸收部具有：与上述电感器部之上述第3线圈和上述第4线圈之第2接点连接之第3内部电极；面对上述第3内部电极、与上述基准端子连接之第4内部电极；以及插入于上述第3内部电极与第4内部电极之间之第2突波吸收层；于将反相讯号施加于上述第1以及第2输入端子上之情形时，上述第1线圈、上述第2线圈、上述第3线圈、以及上述第4线圈相互具有正之磁耦合状态；上述第1线圈至上述第4线圈所电感的耦合系数系被设定为使突波吸收元件之影像阻抗与施加至上述第1及第2输入端子之反相讯号的频率无关。如请求项1之突波吸收元件，其中上述第1突波吸收层包含半导体陶瓷，上述第2突波吸收层包含半导体陶瓷。如请求项1之突波吸收元件，其中上述电感器部具有：插入于上述第1线圈与上述第2线圈之间之第1绝缘层；插入于上述第2线圈与上述第3线圈之间之第2绝缘层；以及插入于上述第3线圈与上述第4线圈之间之第3绝缘层；于上述第1以及第2输入端子上施加反相讯号之情形时，以使于上述第1、第2、第3、以及第4线圈中产生之磁场方向为相同方向之方式配置，且以自线圈积层方向观察上述第1线圈内之区域、上述第2线圈内之区域、上述第3线圈内之区域、以及上述第4线圈内之区域，至少有一部分重叠之方式配置。如请求项3之突波吸收元件，其中上述第1突波吸收层、上述第2突波吸收层、上述第1绝缘层、上述第2绝缘层、以及上述第3绝缘层整体构成长方体之本体；上述第1以及第2输入端子形成于上述本体之第1侧面上；上述第1以及第2输出端子形成于上述本体之第2侧面上。如请求项4之突波吸收元件，其中上述第1侧面与上述第2侧面相对。如请求项4之突波吸收元件，其中上述第1线圈之另一端露出于上述本体之外表面上；上述第2线圈之另一端露出于上述本体之外表面上；上述第1以及第2线圈之露出部藉由形成于上述本体之外表面上之第1外部导体连接；上述第3线圈之另一端露出于上述本体之外表面上；上述第4线圈之另一端露出于上述本体之外表面上；上述第3以及第4线圈之露出部藉由形成于上述本体之外表面上之第2外部导体连接。如请求项4之突波吸收元件，其中上述基准端子形成于上述本体之外表面上，并且配置于上述第1以及第2输入端子之间，或配置于上述第1以及第2输出端子之间。如请求项1之突波吸收元件，其中上述第1线圈至上述第4线圈的耦合系数系被设定为满足下述数式(2)：即若设第1与第2线圈之间、及第3线圈与第4线圈之间之耦合系数分别为Kz，第1线圈与第3线圈之间、以及第2线圈与第4线圈之间之耦合系数分别为Kc，则耦合系数Kz与Kc满足数式(2)：i>Kz/i>-i>Kc/i>=1。如请求项1之突波吸收元件，其中进而具有：插入于上述第1输入端子与上述第1输出端子之间之第1电容器；以及插入于上述第2输入端子与上述第2输出端子之间之第2电容器。如请求项9之突波吸收元件，其中上述第1及第2电容器之电容与上述第1线圈至上述第4线圈的耦合系数系被设定为满足下述数式(7)：即若设第1及第2突波吸收部之浮动电容成分之电容分别为Cz，第1及第2电容器之电容分别为Cs，第1与第2线圈之间、及第3线圈与第4线圈之间之耦合系数分别为Kz，第1线圈与第3线圈之间、以及第2线圈与第4线圈之间之耦合系数分别为Kc，则电容Cz、电容Cs、耦合系数Kz与Kc满足数式(7)：@sIMGTIF!d10015.TIF@eIMG!如请求项9之突波吸收元件，其中上述第1电容器具有：与上述第1输入端子连接之第5内部电极；与上述第1输出端子连接之第6内部电极；以及插入于上述第5以及第6内部电极之间之绝缘层；上述第2电容器具有：与上述第2输入端子连接之第7内部电极；与上述第2输出端子连接之第8内部电极；以及插入于上述第7以及第8内部电极之间之绝缘层。一种突波吸收元件，其特征在于：具备电感器部、第1突波吸收部、第2突波吸收部、第1电容器、以及第2电容器，其中，电感器部具有：一端与第1输入端子连接之第1线圈；一端与第1输出端子连接、另一端与上述第1线圈之另一端连接之第2线圈；一端与第2输入端子连接之第3线圈；以及一端与第2输出端子连接、另一端与上述第3线圈之另一端连接之第4线圈；第1突波吸收部具有：与上述电感器部之上述第1线圈和上述第2线圈之第1接点连接之第1内部电极；面对上述第1内部电极、与基准端子连接之第2内部电极；以及插入于上述第1内部电极与上述第2内部电极之间之第1突波吸收层；第2突波吸收部具有：与上述电感器部之上述第3线圈和上述第4线圈之第2接点连接之第3内部电极；面对上述第3内部电极、与上述基准端子连接之第4内部电极；以及插入于上述第3内部电极与上述第4内部电极之间之第2突波吸收层；插入于上述第1输入端子与上述第1输出端子之间之第1电容器；以及插入于上述第2输入端子与上述第2输出端子之间之第2电容器；于将反相讯号施加于上述第1以及第2输入端子上之情形时，上述第1线圈与上述第3线圈相互具有正之磁耦合状态，上述第2线圈与上述第4线圈相互具有正之磁耦合状态；上述第1及第2电容器之电容系被设定为使突波吸收元件之影像阻抗与施加至上述第1及第2输入端子之反相讯号的频率无关。如请求项12之突波吸收元件，其中上述第1及第2电容器之电容被设定为满足下述数式(11)：即若设第1及第2突波吸收部之杂散电容成分之电容分别为Cz，第1及第2电容器之电容分别为Cs，则电容Cz与电容Cs满足数式(11)：@sIMGTIF!d10016.TIF@eIMG!一种突波吸收电路，其特征在于具有：一端与第1输入端子连接之第1线圈；一端与第1输出端子连接，另一端与上述第1线圈之另一端连接之第2线圈；一端与第2输入端子连接之第3线圈；一端与第2输出端子连接，另一端与上述第3线圈之另一端连接之第4线圈；一端与上述第1线圈和上述第2线圈之第1接点连接，另一端与基准端子连接之第1突波吸收部；以及一端与上述第3线圈和上述第4线圈之第2接点连接，另一端与上述基准端子连接之第2突波吸收部；于将反相讯号施加于上述第1以及第2输入端子上之情形时，上述第1线圈、上述第2线圈、上述第3线圈、以及上述第4线圈相互具有正之磁耦合状态；上述第1线圈至上述第4线圈所电感的耦合系数系被设定为使突波吸收元件之影像阻抗与施加至上述第1及第2输入端子之反相讯号的频率无关。如请求项14之突波吸收电路，其中上述第1线圈至上述第4线圈的耦合系数系被设定为满足下述数式(2)：即若设第1与第2线圈之间、及第3线圈与第4线圈之间之耦合系数分别为Kz，第1线圈与第3线圈之间、以及第2线圈与第4线圈之间之耦合系数分别为Kc，则耦合系数Kz与Kc满足数式(2)：i>Kz/i>-i>Kc/i>=1。如请求项14之突波吸收电路，其中进而具有：一端与上述第1输入端子连接，另一端与上述第1输出端子连接之第1电容器；以及一端与上述第2输入端子连接，另一端与上述第2输出端子连接之第2电容器。如请求项16之突波吸收电路，其中上述第1及第2电容器之电容与上述第1线圈至上述第4线圈的耦合系数系被设定为满足下述数式(7)：即若设第1及第2突波吸收部之杂散电容成分之电容分别为Cz，第1及第2电容器之电容分别为Cs，第1与第2线圈之间、及第3线圈与第4线圈之间之耦合系数分别为Kz，第1线圈与第3线圈之间、以及第2线圈与第4线圈之间之耦合系数分别为Kc，则电容Cz、电容Cs、耦合系数Kz与Kc满足数式(7)：@sIMGTIF!d10017.TIF@eIMG!一种突波吸收电路，其特征在于具有：一端与第1输入端子连接之第1线圈；一端与第1输出端子连接，另一端与上述第1线圈之另一端连接之第2线圈；一端与第2输入端子连接之第3线圈；一端与第2输出端子连接，另一端与上述第3线圈之另一端连接之第4线圈；一端与上述第1线圈和上述第2线圈之第1接点连接，另一端与基准端子连接之第1突波吸收部；一端与上述第3线圈和上述第4线圈之第2接点连接，另一端与上述基准端子连接之第2突波吸收部；一端与上述第1输入端子连接、另一端与上述第1输出端子连接之第1电容器；以及一端与上述第2输入端子连接、另一端与上述第2输出端子连接之第2电容器；于将反相讯号施加于上述第1以及第2输入端子上之情形时，上述第1线圈与上述第3线圈相互具有正之磁耦合状态，上述第2线圈与上述第4线圈相互具有正之磁耦合状态；上述第1及第2电容器之电容系被设定为使突波吸收元件之影像阻抗与施加至上述第1及第2输入端子之反相讯号的频率无关。如请求项18之突波吸收电路，其中上述第1及第2电容器之电容被设定为满足下述数式(11)：即若设第1及第2突波吸收部之杂散电容成分之电容分别为Cz，第1及第2电容器之电容分别为Cs，则电容Cz与电容Cs满足数式(11)：@sIMGTIF!d10018.TIF@eIMG! |
