具有横向ｐ-ｎ型接面之垂直共振腔面射型雷射（ＶＣＳＥＬ）系统

主权项

一种VCSEL系统，包含：一第一镜；一n型垂直空腔设在该第一镜上方，该n型垂直空腔包含整合的多个增益区；一横向p/n接面，侧对于该多个增益区而形成，其中该横向p/n接面的一正向偏压会使该整合的多个增益区内之多个电子与多个电洞重组而发射光子；及一p型氮化镓外壳，其形成于该多个增益区周围；其中该p型氮化镓外壳及该n型多个增益区形成该横向p/n接面。如申请专利范围第1项之系统，更包含一第二镜，其设在该n型垂直空腔上，而该空腔位于该整合的多个增益区和第一镜上方。如申请专利范围第1项之系统，其中该整合的多个增益区包含互相之间隔1/2波长之整数倍的该整合的多个增益区。如申请专利范围第1项之系统，更包含有数个量子井层，其带隙能比一设在该垂直空腔内介于该整合的多个增益区之间的n型半导体间隔物更低。如申请专利范围第1项之系统，更包含一介电磊晶层过度成长(ELOG)罩，设在该块体n型半导体区上。如申请专利范围第1项之系统，更包含一p型触点与一n型触点，可供对该等横向p/n接面施以该正向偏压。如申请专利范围第1项之系统，更包含一蓝宝石基材，可供该块体n型半导体区磊晶生长其上。如申请专利范围第1项之系统，更包含一包围该第一镜之块体n型半导体区。如申请专利范围第1项之系统，更包含一蓝宝石基材晶圆，其接合于该第一镜。如申请专利范围第1项之系统，更包含一蓝宝石基材，其在晶圆接合或沈积该第一镜之前，可供磊晶生长该块体n型半导体区。