多曝光半导体制造掩模组及制造这种多曝光掩模组的方法

摘要

提供掩模组，该掩模组可以用于在半导体器件的制造过程中限定具有第一间距图形的第一图形区域和具有第二间距图形的第二图形区域。这些掩模组可以包括第一掩模，具有第一曝光区域和第一屏蔽区域，在第一曝光区域中第一半色调图形限定第一图形区域，以及在第一屏蔽区域中第一遮蔽层覆盖第二图形区域。这些掩模组还可以包括第二掩模，具有第二曝光区域和第二屏蔽区域，在第二曝光区域中第二半色调图形限定第二图形区域，在第二屏蔽区域中第二遮蔽层覆盖第一图形区域。第二遮蔽层也从第二屏蔽区域延伸，以覆盖部分第二半色调图形。

主权项

一种用于限定第一图形区域和第二图形区域的掩模组，该掩模组包括：包括第一遮蔽区域和第一曝光区域的第一掩模层，在第一曝光区域中形成第一半色调图形，以限定第一图形区域；包括第二曝光区域的第二掩模层，在第二曝光区域中形成二元图形和第二半色调图形，以限定第二图形区域；其中，部分第二曝光区域重叠部分第一曝光区域，以限定重叠区，以及其中，二元图形与第二半色调图形之间的边界与重叠区偏离。