| 发明名称 | 采用AlSb缓冲层制备AlGaAsSb/InGaAsSb多量子阱的外延方法 | ||
| 摘要 | AlGaAsSb/InGaAsSb多量子阱激光器属于第一类量子阱结构，材料和器件的研究存在相当的难度，锑化物材料存在很大的不互溶隙，在不互溶隙内的材料为亚稳态，优质材料生长难度十分大，是III-V族化合物中最复杂的材料之一，也是国际上主攻的科技关键之一。本发明提出了一种采用AlSb缓冲层制备AlGaAsSb/InGaAsSb多量子阱的外延方法。AlSb缓冲层，这种方法可以获得更高质量的晶体质量和表面平整度。AlSb缓冲层的作用是：(1)充当表面活化剂，降低了衬底与外延层之间的界面自由能，(2)充当了一个滤板的作用，抑制了位错的产生。本发明提出以AlSb缓冲层制备AlGaAsSb/InGaAsSb多量子阱的外延方法，制备高质量的AlGaAsSb/InGaAsSb多量子阱激光器材料。 | ||
| 申请公布号 | CN101645577B | 申请公布日期 | 2010.12.01 |
| 申请号 | CN200910067383.3 | 申请日期 | 2009.08.10 |
| 申请人 | 长春理工大学 | 发明人 | 李占国;刘国军;尤明慧;李林;李梅;乔忠良;邹永刚;邓昀;王勇;王晓华;赵英杰 |
| 分类号 | H01S5/343(2006.01)I | 主分类号 | H01S5/343(2006.01)I |
| 代理机构 | 代理人 | ||
| 主权项 | 1.一种半导体激光器结构，包括采用AlSb缓冲层制备AlGaAsSb/InGaAsSb多量子阱的结构；激光器具体结构为：n型GaSb衬底(1)；AlSb缓冲层(2)，生长温度500℃，厚度30nm；n型Al<sub>0.35</sub>Ga<sub>0.65</sub>As<sub>0.03</sub>Sb<sub>0.97</sub>下限制层(3)，生长温度520℃，Te掺杂，浓度为5×10<sup>18</sup>cm<sup>-3</sup>，生长0.3μm；5个周期的Al<sub>0.35</sub>Ga<sub>0.65</sub>As<sub>0.03</sub>Sb<sub>0.97</sub>/In<sub>0.65</sub>Ga<sub>0.35</sub>As<sub>0.1</sub>Sb<sub>0.9</sub>多量子阱层，生长温度520℃，生长厚度分别为15nm、9nm；p型Al<sub>0.35</sub>Ga<sub>0.65</sub>As<sub>0.03</sub>Sb<sub>0.97</sub>上限制层(6)，生长温度520℃，Be掺杂，浓度为5×10<sup>18</sup>cm<sup>-3</sup>，厚度为0.3μm；p型GaSb欧姆层(7)，生长温度540℃，Be掺杂，浓度为2×10<sup>19</sup>cm<sup>-3</sup>，生长20nm。 | ||
| 地址 | 130022 吉林省长春市朝阳区卫星路7186号 | ||