发明名称 |
激光直写薄膜和激光直写微纳图形的方法 |
摘要 |
一种激光直写薄膜和激光直写微纳图形的方法,该激光直写薄膜是利用磁控溅射仪在玻璃基片上依次溅射的第一介质层、金属氧化物层和第二介质层而构成,所述的激光直写微纳图形的方法是采用绿光激光器对在高精度二维移动平台上的激光直写薄膜进行激光直写,以获得良好的亚微米级图形结构。本发明所制备的激光直写薄膜具有薄膜和基底之间附着力强、参数可控性好、薄膜致密度高、重复性高等优点。采用绿光激光器直写亚微米级图形结构有望用于太阳能电池,液晶显示等领域。 |
申请公布号 |
CN101892461A |
申请公布日期 |
2010.11.24 |
申请号 |
CN201010215237.3 |
申请日期 |
2010.06.30 |
申请人 |
中国科学院上海光学精密机械研究所 |
发明人 |
顿爱欢;魏劲松;干福熹 |
分类号 |
C23C14/35(2006.01)I;C23C14/08(2006.01)I;C23C14/54(2006.01)I |
主分类号 |
C23C14/35(2006.01)I |
代理机构 |
上海新天专利代理有限公司 31213 |
代理人 |
张泽纯 |
主权项 |
一种激光直写薄膜,其特征在于该薄膜的构成是利用磁控溅射仪在玻璃基片上依次溅射的第一介质层、金属氧化物层和第二介质层,所述的金属氧化物层的金属氧化物为AgOx、PtOx或PdOx,其薄膜厚度为100~300nm;所述的第一介质层和第二介质层的材料为ZnS‑SiO2、SiN或SiO2,其薄膜厚度为8~12nm。 |
地址 |
201800 上海市800-211邮政信箱 |