发明名称 |
利用粒子束的薄膜材料处理方法 |
摘要 |
本发明提供处理基板的方法的一些例子。在一实施例中,此方法可以包括产生含有多个粒子的连续粒子束;以及将连续粒子束导入基板的非晶相区域,以将此区域由非晶相转变为结晶相,其中连续粒子束的电流密度为5×1014粒子/平方厘米·秒(particles/cm2sec)或更大。 |
申请公布号 |
CN101897006A |
申请公布日期 |
2010.11.24 |
申请号 |
CN200880120202.2 |
申请日期 |
2008.11.13 |
申请人 |
瓦里安半导体设备公司 |
发明人 |
乔纳森·吉罗德·英格兰;法兰克·辛克莱;约翰(本雄)·具;拉杰许·都蕾;卢多维克·葛特 |
分类号 |
H01L21/26(2006.01)I;H01L31/042(2006.01)I;H01L29/786(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/26(2006.01)I |
代理机构 |
北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 |
代理人 |
臧建明 |
主权项 |
一种处理基板的方法,包括:产生连续粒子束,所述连续粒子束含有多个粒子;以及将所述连续粒子束导入基板的非晶相区域,以将所述区域由非晶相转变为结晶相,其中所述连续粒子束的电流密度为5x1014粒子/平方厘米·秒或更大。 |
地址 |
美国麻萨诸塞州 |