发明名称 深锅状铜制溅镀靶及其制造方法
摘要
申请公布号 TWI333508 申请公布日期 2010.11.21
申请号 TW095107542 申请日期 2006.03.07
申请人 JX日鑛日石金属股份有限公司 发明人 福嶋笃志;塚本志郎
分类号 C23C14/50 主分类号 C23C14/50
代理机构 代理人 阎启泰 台北市中山区长安东路2段112号9楼;林景郁 台北市中山区长安东路2段112号9楼
主权项 一种深锅状铜制溅镀靶,系藉由模锻所制造,其特征在于:该深锅状靶内面所有部位的维克氏硬度Hv皆为70以上。如申请专利范围第1项之深锅状铜制溅镀靶,其中,硬度Hv最高部位与最低部位的硬度差为±30%以内。如申请专利范围第1或2项之深锅状铜制溅镀靶,其中,靶组织之平均晶粒粒径为65μm以下。如申请专利范围第1或2项之深锅状铜制溅镀靶,其中,最大平均晶粒粒径/最小平均晶粒粒径<2.0。如申请专利范围第3项之深锅状铜制溅镀靶,其中,最大平均晶粒粒径/最小平均晶粒粒径<2.0。如申请专利范围第1或2项之深锅状铜制溅镀靶,其中,深锅状靶内部之面具有以X射线绕射所测得之(220)、(111)、(200)、(311)的结晶配向,且该深锅状靶之溅蚀面的结晶配向系以(220)为主配向。如申请专利范围第1或2项之深锅状铜制溅镀靶,其中,深锅状靶内部之面具有以X射线绕射所测得之(220)、(111)、(200)、(311)的结晶配向,且该深锅状靶之溅蚀面的(220)结晶配向其配向率为45%以上。
地址 日本