| 主权项 |
一种电浆处理装置，其特征在于包含：反应室；气体导入部，其将反应气体导入反应室；排气部，其将反应气体自反应室排出；平板状之第1电极及第2电极，其等系被支持于反应室内；与第1支持体及第2支持体，其等系将第1电极及第2电极对向状地支持；且第1电极及第2电极系经退火加工，并以受第1支持体及第2支持体支持之状态下因各自之自重而引起之最大沉降距离，即最大弯曲量彼此相同之方式所构成。如请求项1之电浆处理装置，其中第1电极及第2电极之形状、尺寸及材质彼此相同。如请求项1或2之电浆处理装置，其中第1电极及第2电极为中空构造。如请求项1或2之电浆处理装置，其中第1电极及第2电极以可于限定范围内移动之方式被支持。如请求项2之电浆处理装置，其中第1电极及第2电极之材质为铝合金。如请求项1或2之电浆处理装置，其中第1电极及第2电极相隔特定之电极间距离，且由使各自之最大弯曲量为电极间距离之1%以上的形状、尺寸及材质所构成，并由第1支持体及第2支持体所支持。一种电浆处理方法，其特征在于：使用如请求项1至6中任一项之电浆处理装置，使作为被处理物之基板以沿第1电极及第2电极之弯曲之方式，弯曲而配设于两电极之间，并进行电浆处理，藉此于基板之表面形成半导体薄膜。如请求项7之电浆处理方法，其中将玻璃基板载置于第1电极及第2电极中之下部电极之上。如请求项1之电浆处理装置，其中进而具备用以配设基板之薄板状托盘。如请求项7之电浆处理方法，其中基板系载置于托盘之上。 |
