一种铟砷量子点有源区结构及发光器件

摘要

本发明涉及铟砷量子点有源区结构，它包含n个铟砷量子点层(1)，n≥1，n为自然数；每一个铟砷量子点层(1)中都自下而上依次外延生长In组分线性增加的InGaAs层、InAs量子点层、In组分线性减小的InGaAs层、盖层。本发明还涉及铟砷量子点发光器件，它是在镓砷衬底上由下至上依次外延生长镓砷缓冲层、下包层、下限制波导层、铟砷量子点有源区结构、上限制波导层、上包层、欧姆接触层。本发明可以减小铟砷量子点所承受的压应力、抑制量子点中的铟析出、减小量子点有源区结构的积累应变、减小缺陷和位错，因此，铟砷量子点及相应的发光器件具有较大的发光效率和发光强度。

主权项

一种铟砷量子点有源区结构，其特征是它包含n个铟砷量子点层(1)，n≥1，n为自然数；每一个铟砷量子点层(1)中都自下而上依次外延生长In组分线性增加的InGaAs层、InAs量子点层、In组分线性减小的InGaAs层、盖层。