| 发明名称 | 反应器 | ||
| 摘要 | 用于原子层沉积(ALD)方法的反应器，所述反应器包括一真空腔(1)，该真空腔(1)容纳一反应腔，且该真空腔(1)具有：一第一端壁(2)，其配设有一安装窗体；一第二端壁(3)，其配设有一维护窗体；侧壁/外壳(4)，其连接所述第一和第二端壁(2，3)；以及至少一个源材料配接头(5)，其用于将源材料供送到所述反应器(1)的真空腔内。根据本发明，所述至少一个源材料配接头(5)布置在所述反应器的真空腔(1)的侧壁/外壳(4)上。 | ||
| 申请公布号 | CN101163818B | 申请公布日期 | 2010.11.03 |
| 申请号 | CN200680013542.6 | 申请日期 | 2006.04.21 |
| 申请人 | BENEQ有限公司 | 发明人 | P·索伊尼宁 |
| 分类号 | C23C16/455(2006.01)I;C23C16/54(2006.01)I;C23C16/00(2006.01)I;C30B25/00(2006.01)I;H01L21/314(2006.01)I | 主分类号 | C23C16/455(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人 | 余全平 |
| 主权项 | 用于原子层沉积方法的反应器，所述反应器包括一真空腔(1)，该真空腔(1)容纳一反应腔，该反应腔安装在所述真空腔(1)内，且该真空腔(1)具有：一第一端壁(2)，其配设有一安装窗体；一第二端壁(3)，其配设有一维护窗体；侧壁(4)或外壳，其连接所述第一端壁(2)和第二端壁(3)；以及至少一个源材料配接头(5)，其用于将源材料供送到所述反应器的反应腔内；其特征在于，所述至少一个源材料配接头(5)被布置通过所述侧壁(4)或外壳进入所述真空腔(1)内。 | ||
| 地址 | 芬兰万塔 | ||