发明名称 |
对绝缘体上半导体结构进行抛光的方法 |
摘要 |
描述了一种对透明基板上所形成的半导体层进行抛光的方法,该方法包括:在抛光的同时,从半导体层的基板一侧测量半导体的厚度;以及利用厚度测量结果来修改抛光操作。 |
申请公布号 |
CN101336471B |
申请公布日期 |
2010.10.27 |
申请号 |
CN200680051834.9 |
申请日期 |
2006.12.12 |
申请人 |
康宁股份有限公司 |
发明人 |
J·S·希特斯;C·M·达坎吉罗;S·J·格瑞格斯基;R·O·马斯克梅耶;M·A·斯托克;J·C·托马斯 |
分类号 |
H01L21/321(2006.01)I;H01L21/66(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/321(2006.01)I |
代理机构 |
上海专利商标事务所有限公司 31100 |
代理人 |
李玲 |
主权项 |
一种对基板上的半导体材料层进行抛光的方法,包括:提供一个不平的基板,所述基板具有第一侧面、第二侧面以及位于基板第一侧面上的半导体材料层;对半导体层进行抛光以减小其厚度;在抛光的同时,通过基板的第二侧面测量半导体层的厚度;利用半导体厚度测量结果来修改抛光操作以便产生厚度基本上均匀的半导体层;以及抛光包括:除去子孔径材料去除区域之内的半导体材料。 |
地址 |
美国纽约州 |