| 发明名称 | 垂直超结双扩散金属氧化物半导体器件及制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及垂直超结双扩散金属氧化物半导体器件及制造方法，该垂直超结双扩散金属氧化物半导体器件包括P区与N区相间密堆集形成的复合缓冲层，所述复合缓冲层中每个P区和每个N区的直径沿纵向渐变。本发明垂直超结双扩散金属氧化物半导体器件及制造方法在不影响耐压区的耐压能力下，进一步提高耐压区的掺杂浓度，从而降低了垂直超结双扩散金属氧化物半导体器件的导通电阻，提高了垂直超结双扩散金属氧化物半导体器件的击穿电压。 | ||
| 申请公布号 | CN101872783A | 申请公布日期 | 2010.10.27 |
| 申请号 | CN201010187367.0 | 申请日期 | 2010.05.28 |
| 申请人 | 上海宏力半导体制造有限公司 | 发明人 | 刘正超 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L29/36(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人 | 郑玮 |
| 主权项 | 一种垂直超结双扩散金属氧化物半导体器件，包括P区与N区横向相间密堆集形成的复合缓冲层、所述复合缓冲层位于衬基及扩散层之间，其特征在于，所述复合缓冲层中每个P区和每个N区的直径沿纵向渐变。 | ||
| 地址 | 201203 上海市张江高科技园区郭守敬路818号 | ||