| 主权项 |
一种氮化镓系半导体基板，其特征在于：基板表面之金属污染为10×1011原子/cm2以下。一种氮化镓系半导体基板，其特征在于：基板表面之金属污染为5×1011原子/cm2以下。一种氮化镓系半导体基板之制造方法，其特征在于：为去除由研磨所产生之加工变质层，实施使用卤素电浆之乾式蚀刻，进行利用就Ga面与N面无选择性而有腐蚀性、且氧化还原电位为1.2 V以上之蚀刻剂所实施的湿式蚀刻，去除由乾式蚀刻所产生之污染金属。一种氮化镓系半导体基板之制造方法，其特征在于：藉由系HF+H2O2、HCl+H2O2、H2SO4+H2O2、HNO3+H2O2、HF+O3、HCl+O3、H2SO4+O3、HNO3、HNO3+O3中之任一种且氧化还原电位为1.2 V以上之蚀刻剂实施湿式蚀刻。如请求项3或4之氮化镓系半导体基板之制造方法，其中于湿式蚀刻之前或之后，实施用以除掉由有机溶剂所产生之有机物的洗净与用以除掉非金属污染物的硷剂洗净。 |
