| 发明名称 | 在沟槽底部制备氧化膜的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种在沟槽底部制备氧化膜的方法，在衬底上刻蚀形成沟槽之后，包括：1)在沟槽内生长衬垫氧化膜；2)在整个衬底上淀积氮化硅，使衬底上表面和沟槽内壁均淀积有氮化硅层；3)对氮化硅层进行回刻以去除沟槽底部的氮化硅，在沟槽侧壁形成氮化硅侧墙，之后湿法腐蚀去除沟槽底部的衬垫氧化膜，同时腐蚀位于氮化硅侧墙底部的衬垫氧化膜；4)进行氧化工艺在沟槽底部生长底部氧化膜；5)利用刻蚀工艺完全去除衬底上的氮化硅层、氮化硅侧墙以及位于沟槽侧壁的衬垫氧化膜，之后进行常规的栅氧化层生长和沟槽填充工艺。本发明的方法，可在沟槽底部形成较厚的氧化膜，以使器件的栅极-漏极电容大幅度减小，改善沟槽型功率器件的开关特性。 | ||
| 申请公布号 | CN101866849A | 申请公布日期 | 2010.10.20 |
| 申请号 | CN200910057075.2 | 申请日期 | 2009.04.16 |
| 申请人 | 上海华虹NEC电子有限公司 | 发明人 | 肖胜安 |
| 分类号 | H01L21/314(2006.01)I;H01L21/311(2006.01)I;H01L21/316(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/314(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人 | 丁纪铁 |
| 主权项 | 一种在沟槽底部制备氧化膜的方法，在衬底上刻蚀形成沟槽之后，其特征在于，包括如下步骤：1)在所述沟槽内生长衬垫氧化膜；2)在整个衬底上淀积氮化硅，使衬底上表面和沟槽内壁均淀积有氮化硅层；3)对所述氮化硅层进行回刻以去除沟槽底部的氮化硅，在所述沟槽侧壁形成氮化硅侧墙，之后湿法腐蚀去除所述沟槽底部的衬垫氧化膜，同时腐蚀位于氮化硅侧墙底部的衬垫氧化膜；4)进行氧化工艺在所述沟槽底部生长底部氧化膜；5)利用刻蚀工艺完全去除衬底上的所述氮化硅层、氮化硅侧墙以及位于沟槽侧壁的衬垫氧化膜，之后进行常规的栅氧化层生长和沟槽填充工艺。 | ||
| 地址 | 201206 上海市浦东新区川桥路1188号 | ||