一种ESD保护结构

摘要

本发明公开了一种ESD保护结构，所述ESD保护结构通过将NMOS ESD器件的输入端设置在N型阱区内，利用N型阱区形成NMOS ESD器件的镇流电阻，同时将PMOS ESD器件的漏极与NMOS ESD器件的漏极相连，使得PMOS ESD器件也能利用NMOS ESD器件的镇流电阻，而不需额外制作专门的PMOS ESD器件的镇流电阻，从而实现了PMOS ESD器件与NMOS ESD器件镇流电阻的共用，保证NMOS ESD器件与PMOS ESD器件抗静电能力的同时，极大地节约了芯片的面积，降低了成本。

主权项

一种ESD保护结构，其特征在于，包括：第一导电类型的半导体衬底；第一导电类型的半导体阱区；第二导电类型的半导体阱区；第一类型MOS ESD器件，所述第一类型MOS ESD器件的栅极位于所述第一导电类型的半导体阱区上，所述第一类型MOS ESD器件的源区及漏区位于所述栅极两侧，所述源区位于所述第一导电类型的半导体阱区内，所述漏区同时位于所述第一导电类型的半导体阱区与所述第二导电类型的半导体阱区内，所述第一类型MOS ESD器件的输入端位于所述第二导电类型的半导体阱区内；以及第二类型MOS ESD器件，所述第二类型MOS ESD器件位于所述第二导电类型的半导体阱区内，所述第二类型MOS ESD器件的漏极与所述第一类型MOSESD器件的漏极相连。