发明名称 小晶粒全硅β沸石的合成方法
摘要 本发明公开了一种小晶粒全硅β沸石的合成方法,该方法包括下列步骤:(a)将硅源、氟离子源、四乙基铵离子源与去离子水依一特定组成摩尔比进行混合而形成反应混合物;(b)使该反应混合物进行晶化反应,直至晶粒大小小于5μm之全硅β沸石形成;以及(c)回收全硅β沸石。利用本发明的方法,于短时间内即可合成出小晶粒全硅β沸石晶体,且其产率皆大于九成。本发明方法所合成出的小晶粒全硅β沸石可用于制造沸石薄膜或作为催化剂负载所用的载体。
申请公布号 CN101863490A 申请公布日期 2010.10.20
申请号 CN200910130913.4 申请日期 2009.04.17
申请人 和益化学工业股份有限公司 发明人 王育源;蔡建勋;蔡启馨
分类号 C01B39/02(2006.01)I 主分类号 C01B39/02(2006.01)I
代理机构 北京华夏博通专利事务所 11264 代理人 刘俊;孙东风
主权项 一种小晶粒全硅β沸石的合成方法,其特征在于,包括下列步骤:(a)将一二氧化硅(SiO2)硅源、一氟离子(F-)源、一四乙基铵离子(TEA+)源与去离子水(H2O)进行混合而形成一反应混合物,该反应混合物的组成摩尔比范围为:F-/SiO2=0.33-3.0TEA+/SiO2=0.3-1.0H2O/SiO2=1.5-6.0F-/TEA+=1.1-3.0;(b)使该反应混合物进行晶化反应,直至全硅β沸石晶体形成;以及(c)回收全硅β沸石晶体,其中,在晶化反应之前该反应混合物的pH值在6至9之间,而晶化反应完成后的pH值在6至8之间。
地址 中国台湾台北市