| 发明名称 | 制造包括纵向晶体管的半导体器件的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开一种制造包括纵向晶体管的半导体器件的方法，该方法包括：在半导体基板上沉积n层(此处，n是在2至6范围内的整数)掩模薄膜；在所述n层掩模薄膜上形成光阻图案；使用所述光阻图案作为蚀刻掩模蚀刻所述掩模薄膜，直到第m层(此处，m＝n-1)掩模薄膜暴露出来而形成沟槽为止；将绝缘膜填充到所述沟槽中；移除所述绝缘膜周围的第n层掩模薄膜以形成绝缘膜图案；以及使用所述绝缘膜图案作为蚀刻掩模将剩余的m层掩模薄膜图案化，直到所述半导体基板暴露出来为止。 | ||
| 申请公布号 | CN101477948B | 申请公布日期 | 2010.10.13 |
| 申请号 | CN200810134235.4 | 申请日期 | 2008.07.23 |
| 申请人 | 海力士半导体有限公司 | 发明人 | 卜喆圭 |
| 分类号 | H01L21/027(2006.01)I;H01L21/033(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/027(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人 | 顾红霞;何胜勇 |
| 主权项 | 一种制造包括纵向晶体管的半导体器件的方法，包括：在半导体基板上沉积n层掩模薄膜，n是在2至6范围内的整数；在所述n层掩模薄膜上形成具有接触孔的光阻图案；使用所述光阻图案作为蚀刻掩模蚀刻所述n层掩模薄膜，直到第m层掩模薄膜暴露出来而形成沟槽为止，m＝n-1；将绝缘膜填充到所述沟槽中；移除所述绝缘膜周围的第n层掩模薄膜以形成绝缘膜图案；以及使用所述绝缘膜图案作为蚀刻掩模将剩余的m层掩模薄膜图案化，直到所述半导体基板暴露出来为止。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||