高亮度氮化镓基发光二极管及其制备方法

摘要

本发明公开的高亮度氮化镓基发光二极管及其制备方法，在衬底上外延一由N型GaN层、发光层、P型GaN层构成的外延层；第一分布布拉格反射层，形成于外延层第一区域上；第二分布布拉格反射层，形成于外延层第二区域上；导电层形成于第一分布布拉格反射层上且覆盖于外延层第一区域；P电极形成于导电层上；N电极形成于第二分布布拉格反射层上且覆盖至N型GaN层上；其中第一分布布拉格反射层位于P电极正下方，且第一分布布拉格反射层图案面积大于或者等于P电极的图案面积；本发明设有分布布拉格反射层，不但可以充分地把光反射出来，防止光被电极吸收，还可使电流均匀地扩散，起到双重提高光输出效率的作用。

主权项

高亮度氮化镓基发光二极管，其特征在于：在衬底上外延一由N型GaN层、发光层、P型GaN层构成的外延层；第一分布布拉格反射层，形成于外延层第一区域上；第二分布布拉格反射层，形成于外延层第二区域上；导电层形成于第一分布布拉格反射层上且覆盖于外延层第一区域；P电极形成于导电层上；N电极形成于第二分布布拉格反射层上且覆盖至N型GaN层上；其中第一分布布拉格反射层位于P电极正下方，且第一分布布拉格反射层图案面积大于或者等于P电极的图案面积。