发明名称 |
一种以石墨烯为电极的场效应晶体管器件及其制备方法 |
摘要 |
本发明提供一种以石墨烯为电极的场效应晶体管器件及其制备方法。该器件中,构成源区和漏区的材料均为石墨烯;构成沟道区的材料为各种有机小分子、高聚物及高分子半导体材料,如聚噻吩、并五苯、稠环芳烃、苝酰胺等,构成栅区的材料为高度掺杂的导电硅。该器件还包括栅介质层,构成栅介质层的材料为二氧化硅,氮化硅以及各种高K的绝缘体。本发明提供的纳米级场效应晶体管器件可为n-型、p-型或两性型,该器件在纳米级实现了宏观场效应晶体管器件的所有功能。本发明提供的晶体管器件在超灵敏环境刺激响应、超灵敏太阳能刺激响应器件等均具有很高的应用价值。另外,在分子电子学及纳米领域,该器件对促进分子级别各种尺度下超微光电器件的发展,将起到至关重要的作用。 |
申请公布号 |
CN101404322B |
申请公布日期 |
2010.10.13 |
申请号 |
CN200810226315.2 |
申请日期 |
2008.11.12 |
申请人 |
北京大学 |
发明人 |
郭雪峰;曹阳 |
分类号 |
H01L51/05(2006.01)I;H01L51/30(2006.01)I;H01L51/40(2006.01)I |
主分类号 |
H01L51/05(2006.01)I |
代理机构 |
北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 |
代理人 |
关畅 |
主权项 |
一种场效应晶体管器件,包括源区、漏区、栅区和沟道区;其中,所述栅区和沟道区均位于所述源区和漏区之间,所述栅区位于所述沟道区之下,构成所述栅区的材料为高度掺杂的导电硅;其特征在于:构成所述源区和漏区的材料为石墨烯,构成所述沟道区的材料为稠环芳烃或苝酰胺。 |
地址 |
100871 北京市海淀区颐和园路5号 |