发明名称 无模板电化学沉积制备Te一维纳米结构的方法
摘要 本发明属于纳米材料制备技术领域,特别涉及无模板电化学沉积大量制备Te一维纳米结构的方法。本发明以Te的化合物和无机强碱为原料,室温下配制成水溶液。电沉积过程在标准三电极体系中进行,通过水浴维持反应体系恒定温度,给工作电极施加一定的电压,反应一定时间后即可在工作电极上得到Te一维纳米结构。本发明的方法制备的Te一维纳米结构具有多种形貌,包括纳米线、纳米管、纳米带和纳米燕尾。
申请公布号 CN101311338B 申请公布日期 2010.10.06
申请号 CN200810100983.0 申请日期 2008.02.27
申请人 中国科学院理化技术研究所 发明人 师文生;佘广为
分类号 C30B29/02(2006.01)I;C30B30/02(2006.01)I 主分类号 C30B29/02(2006.01)I
代理机构 上海智信专利代理有限公司 31002 代理人 李柏
主权项 一种无模板电化学沉积制备Te一维纳米结构的方法,其特征是,该方法包括以下步骤:1)电解质溶液的配制:在容器中配制无机强碱溶液,向上述无机强碱溶液中加入Te的化合物,无机强碱与Te的化合物的摩尔比为50∶1~500∶1,搅拌、溶解,得到电解质溶液,将电解质溶液倒入电解池中;2)恒电位电化学沉积:电沉积过程在有工作电极、对电极和参比电极的标准三电极体系中进行,用水浴维持步骤1)电解质溶液的温度为20~90℃,给工作电极施加相对于参比电极为-0.8~-1.6V的电位进行反应,在工作电极上得到Te一维纳米结构。
地址 100080 北京市海淀区中关村北一条2号
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