发明名称 有机薄膜晶体管及有机薄膜发光晶体管
摘要 本发明提供一种有机薄膜晶体管,它为至少在基板上设置有栅电极、源电极、漏电极的3个端子、绝缘体层和有机半导体层且通过向栅电极上施加电压来控制源漏电极之间电流的有机薄膜晶体管,所述有机半导体层含有具有C6H5-CH=CH-C6H5所示的苯乙烯结构或C6H5-CH=CH-C6H4-CH=CH-C6H5所示的联苯乙烯结构且不具分子量分布的苯乙烯衍生物,以及利用流过源漏电极间的电流获得发光、通过施加于栅电极的电压控制发光、响应速度快、且开/关比大的有机薄膜晶体管及利用其的有机薄膜发光晶体管。
申请公布号 CN101385156B 申请公布日期 2010.10.06
申请号 CN200780005888.6 申请日期 2007.02.14
申请人 出光兴产株式会社;国立大学法人九州大学 发明人 中村浩昭;齐藤雅俊;筒井哲夫;安田刚
分类号 H01L51/30(2006.01)I;C07C15/52(2006.01)I;C07C22/08(2006.01)I;C07C25/24(2006.01)I;C07C43/215(2006.01)I;C07C211/50(2006.01)I;H01L29/786(2006.01)I;H01L51/05(2006.01)I 主分类号 H01L51/30(2006.01)I
代理机构 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人 李贵亮
主权项 1.一种有机薄膜晶体管,它为至少在基板上设置有栅电极、源电极、漏电极的3个端子、绝缘体层和有机半导体层且通过向栅电极上施加电压来控制源漏电极之间电流的有机薄膜晶体管,所述有机半导体层含有下述通式(a)所示苯乙烯化合物,<img file="FSB00000088156700011.GIF" wi="1680" he="360" />式中,R<sub>1</sub>~R<sub>5</sub>和R<sub>14</sub>~R<sub>18</sub>各自独立地为氢原子、卤原子、氰基、碳原子数1~30的烷基、碳原子数1~30的卤烷基、碳原子数1~30的烷氧基、碳原子数1~30的卤烷氧基、碳原子数1~30的烷硫基、碳原子数1~30的卤烷硫基、碳原子数1~30的烷基氨基、碳原子数2~60的二烷基氨基、碳原子数1~30的烷磺酰基、碳原子数1~30的卤烷磺酰基、碳原子数6~60的芳香族烃基或者碳原子数1~60的芳香族杂环基,这些各基团也可以具有取代基,所述碳原子数2~60的二烷基氨基中,烷基可以相互键合形成含有氮原子的环结构,R<sub>1</sub>~R<sub>5</sub>和/或R<sub>14</sub>~R<sub>18</sub>中相邻的基团之间可以键合,在与R<sub>1</sub>~R<sub>5</sub>和/或R<sub>14</sub>~R<sub>18</sub>键合的苯环之间形成稠环,所述稠环也可以具有取代基,R<sub>6</sub>~R<sub>13</sub>各自独立地为氢原子、卤原子、氰基、碳原子数1~30的烷基、碳原子数1~30的卤烷基、碳原子数1~30的烷氧基、碳原子数1~30的卤烷氧基、碳原子数1~30的烷硫基、碳原子数1~30的卤烷硫基、碳原子数1~30的烷基氨基、碳原子数2~60的二烷基氨基、碳原子数1~30的烷磺酰基或者碳原子数1~30的卤烷磺酰基,这些各基团也可以具有取代基,所述碳原子数2~60的二烷基氨基中,烷基可以相互键合形成含有氮原子的环结构,R<sub>19</sub>~R<sub>22</sub>各自独立地为氢原子、卤原子、氰基、碳原子数1~6的烷基、碳原子数1~6的卤烷基、碳原子数1~6的烷氧基、碳原子数1~6的卤烷氧基、碳原子数1~6的烷硫基、碳原子数1~6的卤烷硫基、碳原子数1~6的烷基氨基、碳原子数2~12的二烷基氨基、碳原子数1~6的烷磺酰基或者碳原子数1~6的卤烷磺酰基,这些各基团也可以具有取代基,所述碳原子数2~12的二烷基氨基中,烷基可以相互键合形成含有氮原子的环结构,l、m和n分别为0~10的整数,l+m+n为0~20的整数。
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