发明名称 |
一种金属化半孔的制作工艺 |
摘要 |
本发明涉及PCB制造领域,具体涉及PCB板上金属化半孔的制作工艺。所述的金属化半孔的制作工艺步骤为:1)基板钻孔、沉铜、图形转移、图形电镀后,按设计需要将圆孔锣除半孔;2)对PCB板进行碱性蚀刻;3)褪膜;4)碱性二次蚀刻;5)褪锡。所述步骤(1)中锣机横向移动速度为0.2-0.5m/min,叠板片数为2pnl/锣。本发明采用不剥膜就进行碱性蚀刻的方法,能够把在锣除半孔时产生的铜丝毛刺蚀刻掉,而板面其它部分有干膜保护不会受蚀刻影响;再进行正常的剥膜、蚀刻(二次蚀刻)、剥锡工序,保证金属化半孔的高品质要求。 |
申请公布号 |
CN101854779A |
申请公布日期 |
2010.10.06 |
申请号 |
CN201010195950.6 |
申请日期 |
2010.06.04 |
申请人 |
惠州中京电子科技股份有限公司 |
发明人 |
赵志平;周刚;刘保光 |
分类号 |
H05K3/42(2006.01)I |
主分类号 |
H05K3/42(2006.01)I |
代理机构 |
广州粤高专利商标代理有限公司 44102 |
代理人 |
任海燕 |
主权项 |
一种金属化半孔的制作工艺,其特征在于:在PCB板制作过程中,锣除半孔工序后,褪膜工序前,对PCB板进行碱性蚀刻。 |
地址 |
516008 广东省惠州市鹅岭南路七巷三号中京科技园 |