发明名称 |
半导体存储器件 |
摘要 |
本发明提供一种半导体存储器件,其中设有:包含多个复制单元(RMC)的复制电路,该复制单元具有与存储阵列内的存储单元相同的元件,将对应于级数的信号输出至共用的复制位线;读出放大器控制电路,接收复制位线的信号,对启动读出放大器电路的信号SAE的时序进行控制。复制电路包含开关电路(SW),该开关电路以可编程方式切换多个复制单元之中激活的复制单元的级数。 |
申请公布号 |
CN1523608B |
申请公布日期 |
2010.09.29 |
申请号 |
CN200410001983.7 |
申请日期 |
2004.01.16 |
申请人 |
松下电器产业株式会社 |
发明人 |
大槻浩久;铃木利一 |
分类号 |
G11C11/4063(2006.01)I;G11C11/413(2006.01)I;G11C7/00(2006.01)I |
主分类号 |
G11C11/4063(2006.01)I |
代理机构 |
永新专利商标代理有限公司 72002 |
代理人 |
胡建新 |
主权项 |
一种半导体存储器件,其特征是,具备:存储阵列,包含多个存储单元;读出放大器电路,对从上述存储阵列的被选择了的存储单元中读出到位线的数据进行放大;复制电路,包含多个复制单元,上述复制单元具有与上述存储单元相同的元件,将对应于级数的电平信号输出至共用的复制位线;及读出放大器控制电路,接收上述复制位线的信号,对启动上述读出放大器电路的信号的时序进行控制;上述复制电路包含对上述多个复制单元之中激活的复制单元的级数进行切换的开关电路;上述开关电路使用存在于上述存储单元中的晶体管构成;上述开关电路通过对连接到上述多个复制单元的电源线的连接状态进行切换,来切换激活的复制单元的级数。 |
地址 |
日本大阪府 |