一种制备半导体材料纳米结构氮化铝的方法

摘要

本发明公开了一种快速制备半导体材料纳米带的方法，首先将Al粉末研磨至50nm~1000nm，将研磨好的粉末放置在反应管内，然后将干燥过的氮气吹入反应管中，再对反应管进行加热，在700~1200℃下Al就会和氮气反应，在原位收集生成物就得到大量氮化铝纳米带。本发明首次用氮气取代氨气做源生成氮化铝的纳米结构，而且反应时间短，温度低，成本少，对坏境没有污染。该纳米结构因为其特殊的形貌而具有更广泛的用途。通过和商用氮化铝的比较发现本发明所制作的纳米材料有很强的紫外阴极射线发光。本发明是一种具有极大经济价值和使用价值的纳米材料的制备方法，市场前景广阔。

主权项

一种制备半导体材料纳米带结构氮化铝的方法，其特征在于它包括以下步骤：A)将铝粉研磨至颗粒直径在50纳米和1微米之间；B)将研磨好的粉末放置在反应管内，通入干燥的氮气；通入的氮气流量在20sccm到300sccm之间C)对反应管进行加热，使氮气和铝粉产生的蒸汽进行反应；D)反应后，则在放原材料的地方生成大量的氮化铝纳米带。