| 发明名称 | 制备高纯度硅的方法 | ||
| 摘要 | 公开了一种形成高纯度元素硅的方法。该方法包括步骤：加热硅胶组合物或者衍生自硅胶组合物的中间组合物，其中该硅胶组合物或者中间组合物包括至少大约5重量％的碳，并且该加热温度高于大约1550℃。该加热步骤导致了一种包括元素硅的产物的产生。本发明的另一方面涉及一种制造光电池的方法。该方法包括步骤：由如本发明所述而制备的元素硅来形成半导体基底。然后采用另外的步骤来制作光电装置。 | ||
| 申请公布号 | CN101848862A | 申请公布日期 | 2010.09.29 |
| 申请号 | CN200880022128.0 | 申请日期 | 2008.05.20 |
| 申请人 | 通用电气公司 | 发明人 | T·F·麦努蒂;J·T·勒曼;V·L·劳;F·D·门迪西诺;R·舒巴;M·P·德"伊维恩;L·N·刘易斯;J·海里奇范多格伦 |
| 分类号 | C01B33/021(2006.01)I;H01L31/02(2006.01)I | 主分类号 | C01B33/021(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 吕彩霞;韦欣华 |
| 主权项 | 一种形成高纯度元素硅的方法，其包括步骤：加热硅胶组合物或者衍生自硅胶组合物的中间组合物，其中该硅胶组合物或者中间组合物包含至少大约5重量％的碳，并且该加热温度高于大约1550℃，来生产一种包含元素硅的产物。 | ||
| 地址 | 美国纽约州 | ||