相变化内存组件及其制造方法

摘要

本发明公开了一种相变化内存组件及其制造方法。根据该相变化内存组件的制作方法，提供基底，其上形成有下电极，形成加热电极和介电层于下电极上，其中加热电极被介电层环绕，蚀刻加热电极，以于介电层中形成凹槽。沉积相变化材料于介电层上并填入凹槽中，研磨相变化材料，移除高于介电层表面的部分相变化层，形成局限于介电层的凹槽中的相变化层，形成上电极于相变化层和介电层上。根据本发明，组件的微缩可不受到黄光光刻极限的影响，因此可进一步微缩组件单元尺寸和提供较大的工艺窗。

主权项

一种相变化内存组件的制造方法，包括：提供基底，其上形成有下电极；形成加热电极和介电层于该下电极上，其中该加热电极被该介电层环绕；蚀刻该加热电极，以在该介电层中形成凹槽；沉积相变化材料于该介电层上并填入该凹槽中；研磨该相变化材料，移除高于该介电层表面的部分相变化层，形成局限于该介电层的凹槽中的相变化层；及形成上电极于该相变化层和该介电层上。