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Un módulo de semiconductor de potencia con un alojamiento (10), por lo menos un portador del sustrato (40) con una disposición del circuito (50) diseñada sobre el mismo y elementos de conexión eléctricos (60, 62) que emanan de la disposición del circuito, en el que el portador del sustrato (40) forma la parte de un lado exterior del módulo de semiconductor de potencia (1) y en el que el portador del sustrato (40) se une junto con el alojamiento (10) del módulo de semiconductor de potencia (1) por medio de una conexión, en el que el portador del sustrato (40) tiene por lo menos un orificio (42) que se extiende continuamente desde su superficie principal interior (46) encarada hacia el interior del módulo de semiconductor de potencia (1) hacia su superficie principal exterior (44), el diseño del orificio el cual tiene un área abierta en la superficie principal interior (46) que es menor que su área abierta en la superficie principal exterior (44) y en el que el alojamiento (10) en la zona de este portador del sustrato (40) tiene por lo menos una prolongación (20) la cual se extiende dentro de estos orificios (42) el portador del sustrato (40) y en el que la conexión del alojamiento con el portador del sustrato es una junta remachada, la cual está formada por la deformación de las prolongaciones (20) de tal modo que el volumen del orificio (42) acomoda completamente el volumen de la prolongación deformada.
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