| 发明名称 | 半导体装置用接合线 | ||
| 摘要 | 本发明的目的是提供可以降低颈部的损伤，并且在环路的直线性、环路高度的稳定性、接合线的接合形状的稳定化方面优异的也适应于低环路化、细线化、窄间距化、三维组装等的半导体组装技术的高功能的接合线。本发明的半导体装置用接合线，是具有由导电性金属形成的芯材和在所述芯材上的以与芯材不同的面心立方晶的金属为主成分的表皮层的接合线，其特征在于，在所述表皮层的表面中的纵向的晶体取向之中，<100>所占的比例为50％以上。 | ||
| 申请公布号 | CN101828255A | 申请公布日期 | 2010.09.08 |
| 申请号 | CN200880112031.9 | 申请日期 | 2008.12.03 |
| 申请人 | 新日铁高新材料株式会社;日铁新材料股份有限公司 | 发明人 | 宇野智裕;木村圭一;山田隆 |
| 分类号 | H01L21/60(2006.01)I;C22C5/02(2006.01)I;C22C5/04(2006.01)I;C22C5/06(2006.01)I;C22C9/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/60(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人 | 段承恩;田欣 |
| 主权项 | 一种半导体装置用接合线，是具有由导电性金属形成的芯材和在所述芯材上的以与芯材不同的金属为主成分的表皮层的半导体装置用接合线，其特征在于，所述表皮层的金属为面心立方晶，在所述表皮层的表面的晶面中的纵向的晶体取向<hkl>之中，<100>所占的比例为50％以上。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||