非易失性半导体存储器件

摘要

一种非易失性半导体存储器件包括以矩阵形式设置的电可擦除可编程非易失性存储器基元的存储器基元阵列，每一个存储器基元使用可变电阻器。脉冲产生器基于写入数据而产生用于使所述可变电阻器的电阻变化的多个类型的写入脉冲。选择电路将由所述脉冲产生器产生的写入脉冲施加到所述存储器基元。感测放大器对所述存储器基元执行校验读取。状态判定电路基于所述感测放大器的输出而判定校验结果。控制电路基于所述状态判定电路的所述校验结果而对所述存储器基元执行附加的写入。

主权项

一种非易失性半导体存储器件，包括：以矩阵形式设置的电可擦除可编程非易失性存储器基元的存储器基元阵列，每一个存储器基元使用可变电阻器；脉冲产生器，其操作性地基于写入数据而产生用于使所述可变电阻器的电阻变化的多个类型的写入脉冲；选择电路，其操作性地将由所述脉冲产生器产生的写入脉冲施加到所述存储器基元；感测放大器，其操作性地对所述存储器基元执行校验读取；状态判定电路，其操作性地基于所述感测放大器的输出而判定校验结果；以及控制电路，其操作性地基于所述状态判定电路的所述校验结果而对所述存储器基元执行附加的写入。