Bereitstellen eines verbesserten Elektromigrationsverhaltens und Verringern der Beeinträchtigung empfindlicher dielektrischer Materialien mit kleinemεin Metallisierungssystemen von Halbleiterbauelementen

摘要

Während der Herstellung komplexer Metallisierungssysteme wird eine leitende Deckschicht auf einem Kupfer enthaltenden Metallgebiet hergestellt, um das Elektromigrationsverhalten zu verbessern, ohne dass die Gesamtleitfähigkeit negativ beeinflusst wird. Gleichzeitig wird eine thermo-chemische Behandlung ausgeführt, um bessere Oberflächenbedingungen des empfindlichen dielektrischen Materials zu erreichen und um auch eine Kohlenstoffverarmung zu unterdrücken, die konventionellerweise zu einer deutlichen Variabilität der Materialeigenschaften empfindlicher ULK-Materialien führt.