半导体结构、可逆可编程器件及其编程方法

摘要

本发明提供了一种半导体结构、可逆可编程器件及其编程方法。该可逆可编程器件包括：第一导电类型的掺杂半导体衬底；位于掺杂半导体衬底中第二导电类型的掺杂阱区；位于掺杂阱区的第一部分上第一导电类型的第一掺杂层有；位于掺杂半导体衬底的第一部分上且与掺杂阱区间隔开第二导电类型的第二掺杂层；位于掺杂半导体衬底中且邻接掺杂阱区的沟槽，其中沟槽包括导电或半导体沟槽填充体；以及位于沟槽上且与沟槽电连接的导电层，用于施加偏置电压到沟槽填充体，其中在接地电压施加到沟槽填充体之后，该可逆可编程器件具有未偏置触发电压；在第一正偏置电压施加到沟槽填充体之后，该可逆可编程器件具有高于未偏置触发电压的至少第一偏置触发电压。

主权项

一种半导体结构，包括：具有第一导电类型的掺杂半导体衬底；位于该掺杂半导体衬底中的掺杂阱区，其中所述掺杂阱区具有相反的第二导电类型；位于该掺杂阱区的第一部分上的第一掺杂层，其中所述第一掺杂层具有第一导电类型；位于该掺杂半导体衬底的第一部分上且与该掺杂阱区间隔开的第二掺杂层，其中所述第二掺杂层具有相反的第二导电类型；位于该掺杂半导体衬底中且邻接该掺杂阱区的沟槽，其中所述沟槽包括导电或半导体沟槽填充体；以及位于该沟槽上且与该沟槽电连接的导电层，用于施加偏置电压到该导电或半导体沟槽填充体。