发明名称 背面入射型光检测部件及其制造方法
摘要 本发明提供一种背面入射型光检测部件及其制造方法,能够充分缩小安装,并且能够抑制被检测光的散乱。背面入射型光电二极管(1)包括:N型半导体基板(10)、P+型不纯物半导体区域(11)、凹部(12)与窗板(13)。在N型半导体基板(10)上面(S1)侧的表层中,形成P+型不纯物半导体区域(11)。在面向N型半导体基板(10)背面(S2)的P+型不纯物半导体区域(11)的区域中,形成成为被检测光的入射部的凹部(12)。此外,在凹部(12)的外缘部(14)接合于窗板(13)。该窗板(13)接合于凹部(12)的外缘部(14)。该窗板(13)覆盖凹部12,并密封N型半导体基板(10)的背面(S2)。
申请公布号 CN1830095B 申请公布日期 2010.08.25
申请号 CN200480022086.2 申请日期 2004.07.23
申请人 浜松光子学株式会社 发明人 柴山胜己
分类号 H01L31/10(2006.01)I;H01L27/14(2006.01)I 主分类号 H01L31/10(2006.01)I
代理机构 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 代理人 龙淳
主权项 一种背面入射型光检测部件的制造方法,其特征在于,包括:不纯物半导体区域形成步骤,在第一导电型半导体基板的第一面侧的表层,形成第二导电型不纯物半导体区域;凹部形成步骤,在面对所述半导体基板第二面的所述不纯物半导体区域的区域上,形成被检测光进行射入的凹部;窗板接合步骤,使所述被检测光予以透过的窗板,以覆盖所述凹部的方式与该凹部的外缘部相接合;和切割步骤,以将由所述不纯物半导体区域和面向所述不纯物半导体区域的所述凹部形成的多对中的各自一对予以分割的方式,而从所述半导体基板的所述第一面起、直到所述窗板的表面为止,分成多个阶段来进行切割,其中,在所述不纯物半导体区域形成步骤中,形成多个所述不纯物半导体区域,在所述凹部形成步骤中,分别相对于多个所述不纯物半导体区域形成所述凹部,在所述窗板接合步骤中,以覆盖多个所述凹部的方式将所述窗板与该外缘部相接合。
地址 日本静冈县