利用SiN保护逻辑低压区的嵌入式EEPROM工艺方法

摘要

本发明公开了一种利用SiN保护逻辑低压区的嵌入式EEPROM工艺方法，包括如下步骤：(1)在高压阱和低压阱注入后，保留注入牺牲氧化层，用低压化学气相淀积在牺牲氧化层上淀积一层SiN；(2)利用光刻、刻蚀把存储器高压区的SiN和牺牲氧化层去除；(3)生长存储器高压区的高压栅氧化层；(4)在逻辑低压区和存储器高压区上淀积多晶浮栅；(5)将逻辑低压区的多晶浮栅刻除，再利用湿法刻蚀将逻辑低压区的SiN和牺牲氧化层刻除。本发明在生长高压栅氧化层之前，淀积一层SiN，低压区由于受到SiN保护，将避免高压氧化刻蚀带来的隔离氧化层损失，从而能降低低压器件的漏电。

主权项

一种利用SiN保护逻辑低压区的嵌入式EEPROM工艺方法，其特征在于，包括如下步骤：(1)在高压阱和低压阱注入后，保留注入牺牲氧化层，用低压化学气相淀积在牺牲氧化层上淀积一层SiN。(2)利用光刻、刻蚀把存储器高压区的SiN和牺牲氧化层去除；(3)生长存储器高压区的高压栅氧化层；(4)在逻辑低压区和存储器高压区上淀积多晶浮栅；(5)将逻辑低压区的多晶浮栅刻除，再利用湿法刻蚀将逻辑低压区的SiN和牺牲氧化层刻除。