| 发明名称 | 基于源场板和漏场板的复合场板异质结场效应晶体管 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种基于源场板和漏场板的复合场板异质结场效应晶体管，该器件自下而上包括衬底(1)、过渡层(2)、势垒层(3)、源极(4)、漏极(5)、栅极(6)、钝化层(7)、源场板(8)、漏场板(10)和保护层(11)，该源场板(8)与源极(4)电气连接，该漏场板(10)与漏极(5)电气连接，其中，源场板(8)与漏场板(10)之间的钝化层(7)上淀积有n个浮空场板(9)。每个浮空场板大小相同，处于浮空状态，且按照等间距的方式分布于源场板与漏场板之间。n个浮空场板与源场板和漏场板在钝化层上一次工艺完成。本发明具有成品率高、可靠性好和输出功率高的优点，可制作基于宽禁带化合物半导体材料异质结的大功率器件。 | ||
| 申请公布号 | CN101414622B | 申请公布日期 | 2010.08.18 |
| 申请号 | CN200810232524.8 | 申请日期 | 2008.12.01 |
| 申请人 | 西安电子科技大学 | 发明人 | 郝跃;毛维;过润秋;杨 |
| 分类号 | H01L29/772(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/772(2006.01)I |
| 代理机构 | 陕西电子工业专利中心 61205 | 代理人 | 王品华;朱红星 |
| 主权项 | 一种基于源场板和漏场板的复合场板异质结场效应晶体管，包括衬底(1)、过渡层(2)、势垒层(3)、源极(4)、漏极(5)、栅极(6)、钝化层(7)、源场板(8)、漏场板(10)和保护层(11)，该源场板(8)与源极(4)电气连接，该漏场板(10)与漏极(5)电气连接，其特征在于，源场板(8)与漏场板(10)之间的钝化层(7)上淀积有n个浮空场板(9)，n≥1；源场板(8)与其最邻近的浮空场板之间的距离为0.07～3.5μm，漏场板(10)与其最邻近的浮空场板之间的距离为0.05～2.6μm；各浮空场板按照相邻两浮空场板之间的间距均为0.08～4.1μm的方式均匀分布于源场板与漏场板之间，各浮空场板的厚度均为0.2～10μm，各浮空场板的长度均为0.25～6μm，源场板的有效长度为0.2～5μm，漏场板的有效长度为0.35～7μm，构成相同厚度的源场板、漏场板和浮空场板的复合场板结构，以实现在工作时增大势垒层中耗尽区的面积。 | ||
| 地址 | 710071 陕西省西安市太白路2号 | ||